TFL シリーズ UV-Visチューナブルレーザ

 新製品

TFL Series UV-Vis Tunable Lasers  

 TFL Series UV-Vis Tunable Lasers

 TFLシリーズは、1064nm,532nm,355nm領域で 波長可変の高純度、強力、0.01cm-1未満の峡帯域TEM00レーザー光源です。 波長可変幅:80cm-1

 レーザー出力は、およそ0.8Wで高精度・高安定 を保証します。

波長精度及び波長安定性が高く、コンパクトながら丈夫で、室温駆動が可能です。  

使い易いタッチスクリーンを採用し、RS-232を介してPC制御可能です。

 

 

 

半導体関連 4探針抵抗率 / シート抵抗測定器

4探針抵抗率/シート抵抗測定器 CMT-SR2000N

http://www.fpp.co.kr/english/eproducts.html

CMT-SR2000N 4探針シート抵抗測定器はシリコンウェハの抵抗率/シート抵抗を全自動で測定するシステムです。
本システムはPC制御による簡単な操作、レシピ設定で測定し各種データ処理ができます。

高性能・低価格!

特徴
  • XYZ‐軸 全自動設定
  • 自動・マニュアル測定レンジ設定
  • 8インチウェハ対応
  • PC制御ソフトウェア
  • 各種データ分析(2D, 3D データマップ)
  • ASTM & SEMI測定モード

構成
  • 4探針プローブユニット
  • Z‐軸ロボットアーム
  • 回転ステージ (XY-軸)
  • タッチパネルキーボード
  • リモートコントロールポート
  • 真空ポンプコネクタ(200mmHg)
  • ソフトウェア (Windows 98/XP/NT Ver.)
  • 電源コード

 
 
 
 

仕様

シート抵抗
  • 測定範囲: 1 mohm/sq ∼ 2 Mohm/sq
  • 電流源: 10nA to 100mA
  • 電圧計:0V to 2,000mV
  • 測定精度: ± 0.5 % (VLSI standard wafer, when 23°C)
  • 4探針プローブ(Jandel社製) 
    Pin spacing : 25 mils ∼ 50 mils by 5mil increments
    Pin Load : 10 gram/pin ∼ 250 gram/pin
    Pin radius : 12.5 micron∼500 microns (polished 2μ diamond)
    Tolerance : ± 0.01 mm
    素材:タングステンカーバイド φ0.40 mm
  • 測定速度:約 3 ± 1 sec/point

抵抗率
  • 測定範囲: 10.0 μohm·cm ∼ 200.0 kohm·cm
 

半導体関連 極低温プローバシステム

半導体関連 極低温プローバシステム

441型 極低温プローバシステム
 


http://www.mdc4cv.com


 

    

MDC社製441型極低温プローバシステムは液体窒素温度77°Kにおいての、高感度容量測定および電流測定等に最適です。
C-V測定システムとの組合せでドーピングプロファイル、C-V測定を高精度に測定できます。
また各種デバイスを極低温下でのインターフェイストラップやI-V測定を容易に行うことができます。


仕様
ユーティリティ
  • 使用電源: 顕微鏡用イルミネーションランプのみ
  • 冷却剤: 低圧液体窒素
  • パージ: 乾燥窒素 最大圧 2 PSI (0.15 Kg/cm2)
  • 真空圧: 5-15" (100-400 mm) Hg.
  • サイズ: W 19" (49 cm); D 22" (56 cm); H 12"(33 cm)

熱伝対
  • 熱電対: typeE
  • 温度範囲: -200°C to 40°C.

半導体関連 C-V / I-V 測定システム、B-T測定システム

Mdc_3.tif (872640 bytes)

Materials Development Corporation社   http://www.mdc4cv.com/

 

MDC社は、いち早く商用のC-V / I-Vプロッティングシステムを開発・製造・販売を行っている会社です。 また、電極の作成が不要な水銀プローブを単体でも製造・販売しております。
今日までに、世界で1500システム以上の販売実績があり、マーケットリーダー的存在にあります。
本システムは半導体の容量(Capacitance)と電圧(Voltage)を計測することにより半導体内の不純物量等を測定するシステムで、品質管理および半導体特性試験に用いられます。

半導体関連 B-T 測定システム

 

オプションにて、B-T(Bias-Temperature)測定も可能です。測定温度範囲:室温~400℃(最大)

 

半導体関連 802B型水銀プローブ

半導体関連 802B型シリーズ水銀プローブ

802 .jpg (70178 bytes)

 

802B型水銀プローブ  http://www.mdc4cv.com/

測定時に電極の製作が不要な為、水銀プローブの需要が高まっています。
また、電極の製作が不要な為、Low-k素材などのサンプルを容易に測定でます。

Hg Probe contact.jpg (84773 bytes)

 

 

 

 

 

 

 

 

                  水銀電極表面

仕様
  • 本体寸法: 15cm×33cm×18cm(幅×奥行き×高さ) *6インチウェハ用
    重量: 約3kg
  • ダークボックス:約22cm×45cm×20cm(幅×奥行き×高さ)
    重量: 約2kg
  • コネクタ: BNCコネクタ
  • 電極直径: 約760um(出荷時に正確な値が添付されます。)
  • 面積再現性: 1.1%
  • リング電極面積:ドット電極面積比=48.6:1
  • 最小サンプルサイズ:φ15mm 又は □15mm

MDC社では、水銀電極を単体でも販売しています。


  • Low k 膜の誘電率測定に最適
  • ゲート電極不要802型シリーズ水銀電極
  • 6、8、12インチウェハ対応
  • コンタクト面積再現性:1.1%
  • 電極径:760μm(一般値)
  • オプション:比抵抗値参照ウェハ WS-RES

真性乱数発生器 rw4型 / rp1型

真性乱数発生器 rw4型 / rp1型

rp1: true random number generator of the first generation for the parallel port rw1: fast true random number generator (16Bit) of the first generation
rw4型 真性乱数発生器
rp1型 真性乱数発生器

True-Random社製 真性乱数発生器は、中心極限定理(ちゅうしんきょくげんていり、英:central limit theorem)を用いた超高速真性乱数発生器です。


概要
  • 市販ベースでは最高速の真性乱数発生器
  • 既存システムへの容易な統合
  • 低価格・コンパクト・高信頼性
  • PCIボードもしくはチップのみで販売可

アプリケーション
  • 量子計算機/量子暗号通信
  • 数値シミュレーション
  • 統計学研究

仕様
                              rw4型                 rp1型
乱数発生速度 160MByte/s 2MByte/s
寸法 32×12×2cm 6×5×1.5cm
重量 450g 55g


光測定器 超高分解能 分光システム

光測定器 超高分解能 分光システム

 

LossPro™ Precision Reflectometer and Optical Lossmeter

LaserSpec™ 超高分解能 分光システム  http://www.novawavetech.com/

システム概要

ノバウェーブテクノロジー社 LaserSpec 超高分解能チューナブルレーザ分光システムは、高性能光部品を超高精度によって正確に特性評価することが可能です。 本システムは、無比の精度によって薄膜の反射率、損失および光学部品基盤の特性を決定する為に、高感度分光法として広く用いられているCavity Ringdown法を採用しています。
反射率、透過率を 0-100%の範囲でサブppm-レベルの精度で、高速データ収集。および優れた分析ソフトウェアを使って正確に光学特性を決定できます。
LossProシステムは容易な操作性/高性能を追求する為に光学測定の専門家により慎重に設計されており、光学部品製造およびコーティングメーカーに高信頼性光部品の開発・製造というメリットを提供致します

LaserSpecシステム仕様
  • 測定波長範囲(nm):1010-1100,1260-1360,1500-1600
  • 反射率(R)/透過率(T)測定範囲:0-100%
  • 測定精度:<0.05%, 0.1%R+T
  • 波長精度:<0.1nm-0.3nm
  • 線幅:<0.1nm-0.3nm
  • ビーム径(1/e2 @0.5m):1-3mm
  • 消光比:>10000:1
  • アライメント用レーザ:532nm, <1mW
  • ウォームアップ時間:45分

NovaWave TECHNOLOGIES社

同社は、高品質なレーザーベースの光学測定器を生産しており各種産業、軍用および研究アプリケーションに専念しているメーカーです。
コア技術は、特殊光学部品、計測機器、特注レーザーシステム、および化学および生物学のセンサーから成っています。

光源 IRIS 1000 中赤外チューナブルレーザ

光源 IRIS 1000 中赤外チューナブルレーザ

 
 
 
 
 
 

IRIS 1000 中赤外チューナブルレーザ  http://www.novawavetech.com/

NovaWave Technologies社のmid-IR チューナブルレーザは波長は3.3μm領域の中赤外領域で、チューニングレンジは100cm-1です。可視光アライメントレーザを内蔵し波長精度及び波長安定性が高く、コンパクトながら丈夫で、室温駆動が可能です。使い易いタッチスクリーンを採用し、イーサネットを介してPC制御可能です。

主な仕様
  • 波長: mid-IR 3200nm-3600nm TEM00
  • 波長可変:100cm-1
  • 線幅:<3MHz
  • 出力:150μW~mW
  • 可視光アライメントレーザ内蔵
  • コンパクト
  • 室温駆動 & 低消費電力
  • 外部変調:DC-1MHz
アプリケーション
  • C-H,N-H,O-H基などの分子検出・識別、化学センサー
  • 温室効果モニタリング
  • ガスセンシング  各種研究開発、OEM等
 
 
コンパクトなレーザヘッド
可視光アライメントレーザ内蔵
波長選択可能な、
容易に交換できるDFB レーザ

LossPro  超高分解能 反射率/損失測定システム


LossPro™ Precision Reflectometer and Optical Lossmeter
システム概要

ノバウェーブテクノロジー社 LossPro 超高精度光反射・光損失測定システムは高性能光部品を超高精度によって正確に特性評価することが可能です。 
本システムは、無比の精度によって薄膜の反射率、損失および光学部品基盤の特性を決定する為に、高感度分光法として広く用いられているCavity Ringdown法を採用しています。

  • 反射率: 98% ~ 99.9995%   損失率:2%~ 0.0005%

と、サブppm-レベル精度で、高速性データ収集、および優れた分析ソフトウェアを使って正確に光学特性を決定できます。
LossProシステムは容易な操作性/高性能を追求する為に光学測定の専門家により慎重に設計されており、光学部品製造およびコーティングメーカーに高信頼性光部品の開発・製造というメリットを提供致します。Los測定波長は固定波長または波長可変仕様。

  • 測定波長: UV-Visible ~ Mid-IR
LossProシステム仕様
  • 高反射率コーティング測定:R= 98% ~ 99.9995%
  • ARコーティング損失測定:測定レンジ= 2% ~ 0.0005%
  • バルク基板吸光度測定
  • 薄膜損失特性評価
  • 光部品の品質管理
  • 製造プロセスの認証に最適
  • リアルタイム (kHz)でのデータ測定および解析
  • 容易な光学調整かつ高再現性で光学特性評価
  • 測定波長: UV-Visible ~ Mid-IR
NovaWave TECHNOLOGIES社

同社は、高品質なレーザーベースの光学測定器を生産しており各種産業、軍用および研究アプリケーションに専念しているメーカーです。
コア技術は、特殊光学部品、計測機器、特注レーザーシステム、および化学および生物学のセンサーから成っています。

アイテム

  • CV sys.jpg